გრაფინის მსგავსად, MXenes არის ლითონის კარბიდის ორგანზომილებიანი მასალა, რომელიც შედგება ტიტანის, ალუმინის და ნახშირბადის ატომების ფენებისგან, რომელთაგან თითოეულს აქვს საკუთარი სტაბილური სტრუქტურა და ადვილად შეუძლია გადაადგილება ფენებს შორის.2021 წლის მარტში მისურის სახელმწიფო მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების უნივერსიტეტმა და არგონის ეროვნულმა ლაბორატორიამ ჩაატარეს კვლევა MXenes-ის მასალებზე და დაადგინეს, რომ ექსტრემალურ გარემოში ამ მასალის ცვეთის საწინააღმდეგო და საპოხი თვისებები უკეთესია, ვიდრე ტრადიციული ზეთის საპოხი მასალები და შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც "სუპერ ლუბრიკანტი" შესამცირებლად აცვიათ მომავალ ზონდებზე, როგორიცაა Perseverance.
მკვლევარებმა მოახდინეს კოსმოსური გარემოს სიმულაცია და მასალის ხახუნის ტესტებმა დაადგინეს, რომ MXene ინტერფეისის ხახუნის კოეფიციენტი ფოლადის ბურთსა და სილიციით დაფარული დისკს შორის, რომელიც ჩამოყალიბდა "ზელუბრიკატულ მდგომარეობაში" იყო 0.0067 და 0.0017.უკეთესი შედეგები იქნა მიღებული MXene-ში გრაფინის დამატებისას.გრაფენის დამატებამ შეიძლება კიდევ უფრო შეამციროს ხახუნი 37.3%-ით და შეამციროს ცვეთა 2-ჯერ, MXene-ის სუპერშეზეთვის თვისებებზე ზემოქმედების გარეშე.MXenes-ის მასალები კარგად არის ადაპტირებული მაღალი ტემპერატურის გარემოში, ხსნის ახალ კარებს ექსტრემალურ გარემოში საპოხი მასალების შემდგომი გამოყენებისთვის.
გამოცხადდა შეერთებულ შტატებში პირველი 2 ნმ პროცესის ჩიპის განვითარების პროგრესი
ნახევარგამტარული ინდუსტრიის მუდმივი გამოწვევა არის ერთდროულად პატარა, უფრო სწრაფი, მძლავრი და ენერგოეფექტური მიკროჩიპების წარმოება.კომპიუტერული ჩიპების უმეტესობა, რომლებიც დღეს მოწყობილობებს ამუშავებს, იყენებს 10- ან 7 ნანომეტრიანი პროცესის ტექნოლოგიას, ზოგიერთი მწარმოებელი აწარმოებს 5 ნანომეტრიან ჩიპებს.
2021 წლის მაისში, შეერთებული შტატების IBM Corporation-მა გამოაცხადა მსოფლიოში პირველი 2 ნმ პროცესის ჩიპის განვითარების პროგრესი.ჩიპური ტრანზისტორი იღებს სამი ფენის ნანომეტრიანი კარიბჭის გარშემო (GAA) დიზაინს, იყენებს ყველაზე მოწინავე ექსტრემალური ულტრაიისფერი ლითოგრაფიის ტექნოლოგიას მინიმალური ზომის დასადგენად, ტრანზისტორი კარიბჭის სიგრძეა 12 ნანომეტრი, ინტეგრაციის სიმკვრივე მიაღწევს 333 მილიონს კვადრატულ მილიმეტრზე. და 50 მილიარდი შეიძლება იყოს ინტეგრირებული.
ტრანზისტორები ინტეგრირებულია ფრჩხილის ზომის ფართობზე.7 ნმ ჩიპთან შედარებით, მოსალოდნელია, რომ 2 ნმ პროცესის ჩიპი გააუმჯობესებს მუშაობას 45%-ით, შეამცირებს ენერგიის მოხმარებას 75%-ით და შეუძლია მობილური ტელეფონების ბატარეის ხანგრძლივობა ოთხჯერ გაზარდოს, ხოლო მობილური ტელეფონის გამოყენება შესაძლებელია უწყვეტად ოთხი დღის განმავლობაში. მხოლოდ ერთი დატენვით.
გარდა ამისა, ახალი პროცესის ჩიპს შეუძლია ასევე მნიშვნელოვნად გააუმჯობესოს ნოუთბუქის კომპიუტერების მუშაობა, მათ შორის ნოუთბუქების აპლიკაციების დამუშავების სიმძლავრისა და ინტერნეტით წვდომის სიჩქარის გაუმჯობესება.თვითმართვადი მანქანებში, 2 ნმ პროცესორულ ჩიპებს შეუძლიათ გააუმჯობესონ ობიექტების ამოცნობის შესაძლებლობები და შეამცირონ რეაგირების დრო, რაც მნიშვნელოვნად შეუწყობს ხელს ნახევარგამტარული ველის განვითარებას და გააგრძელებს მურის კანონის ლეგენდას.IBM 2027 წელს 2 ნმ პროცესის ჩიპების მასობრივ წარმოებას გეგმავს.
გამოქვეყნების დრო: აგვისტო-01-2022